IC a singolo transistor IGBT Infineon IHW15N120E1XKSA1, VCE 1200 V, IC 30 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 226-6076
- Codice costruttore:
- IHW15N120E1XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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| 50 - 120 | 2,314 € | 11,57 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 226-6076
- Codice costruttore:
- IHW15N120E1XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | IC a singolo transistor IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 30A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 156W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 25 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.5V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC for target applications | |
| Altezza | 5.21mm | |
| Lunghezza | 42mm | |
| Serie | Resonant Soft-Switching | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto IC a singolo transistor IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 30A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 156W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 25 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.5V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC for target applications | ||
Altezza 5.21mm | ||
Lunghezza 42mm | ||
Serie Resonant Soft-Switching | ||
Standard automobilistico No | ||
Diodo corpo monolitico completo di potenza IHW15N120E1 Infineon con bassa tensione diretta progettato solo per la commutazione morbida e presenta un comportamento stabile in temperatura e robustezza elevata con VCEsat basso.
Distribuzione dei parametri molto rigida
Basse interferenze elettromagnetiche
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