IC a singolo transistor IGBT Infineon IHW15N120E1XKSA1, VCE 1.2 kV, IC 30 A, canale N, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
226-6076
Codice costruttore:
IHW15N120E1XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IC a singolo transistor IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

30A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1.2kV

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.5V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

25 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

Resonant Soft-Switching

Larghezza

16.13mm

Standard/Approvazioni

JEDEC for target applications

Altezza

5.21mm

Lunghezza

42mm

Standard automobilistico

No

Diodo corpo monolitico completo di potenza IHW15N120E1 Infineon con bassa tensione diretta progettato solo per la commutazione morbida e presenta un comportamento stabile in temperatura e robustezza elevata con VCEsat basso.

Distribuzione dei parametri molto rigida

Basse interferenze elettromagnetiche

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