IC a singolo transistor IGBT Infineon IHW30N120R5XKSA1, VCE 1200 V, IC 60 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

13,06 €

(IVA esclusa)

15,935 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 1675 unità in spedizione dal 06 aprile 2026
  • Più 20 unità in spedizione dal 13 aprile 2026
  • Più 240 unità in spedizione dal 27 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 202,612 €13,06 €
25 - 451,722 €8,61 €
50 - 1201,594 €7,97 €
125 - 2451,488 €7,44 €
250 +1,384 €6,92 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
226-6078
Codice costruttore:
IHW30N120R5XKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

60A

Tipo prodotto

IC a singolo transistor IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

330W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

25 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.55V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

5.21mm

Lunghezza

42mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

Resonant Switching

Standard automobilistico

No

Diodo corpo monolitico completo di potenza IHW30N120R5 Infineon con bassa tensione diretta progettato solo per la commutazione morbida e presenta un comportamento stabile in temperatura e robustezza elevata con VCEsat basso.

Distribuzione dei parametri molto rigida

Basse interferenze elettromagnetiche

Link consigliati