IC a singolo transistor IGBT Infineon IHW30N120R5XKSA1, VCE 1200 V, IC 60 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
226-6078
Codice costruttore:
IHW30N120R5XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IC a singolo transistor IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

60A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

330W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

25 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.55V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

5.21mm

Serie

Resonant Switching

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

42mm

Standard automobilistico

No

Diodo corpo monolitico completo di potenza IHW30N120R5 Infineon con bassa tensione diretta progettato solo per la commutazione morbida e presenta un comportamento stabile in temperatura e robustezza elevata con VCEsat basso.

Distribuzione dei parametri molto rigida

Basse interferenze elettromagnetiche

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