IC a singolo transistor IGBT Infineon IHW30N120R5XKSA1, VCE 1.2 kV, IC 60 A, canale N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 226-6078
- Codice costruttore:
- IHW30N120R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 5 unità*
21,83 €
(IVA esclusa)
26,63 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 1630 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 260 unità in spedizione dal 21 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 4,366 € | 21,83 € |
| 25 - 45 | 2,876 € | 14,38 € |
| 50 - 120 | 2,662 € | 13,31 € |
| 125 - 245 | 2,488 € | 12,44 € |
| 250 + | 2,314 € | 11,57 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 226-6078
- Codice costruttore:
- IHW30N120R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | IC a singolo transistor IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 60A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1.2kV | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 330W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 25 V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.55V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Larghezza | 16.13mm | |
| Lunghezza | 42mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 5.21mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto IC a singolo transistor IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 60A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1.2kV | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 330W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 25 V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.55V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Serie Resonant Switching | ||
Larghezza 16.13mm | ||
Lunghezza 42mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 5.21mm | ||
Standard automobilistico No | ||
IC a transistor singolo IGBT con commutazione risonante Infineon, tensione massima del collettore-emettitore di 1200 V, corrente massima continua del collettore di 60 A - IHW30N120R5XKSA1
Questo IC a transistor singolo IGBT è un transistor di potenza a tre pin a foro passante progettato per la commutazione ad alta tensione in topologie di convertitori risonanti. Funziona in un intervallo di temperatura esteso ed è adatto per ambienti industriali impegnativi in cui sono richieste un'elevata tensione di collettore-emettitore e una notevole corrente continua.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il valore nominale del collettore-emettitore di 1200 V consente la capacità di commutazione ad alta tensione
• La corrente di collettore continua di 60 A supporta carichi di conduzione pesanti
• Il VCE(sat) di 1,55 V garantisce basse perdite di conduzione durante l'accensione
• La dissipazione di potenza massima di 330 W consente una gestione ad alta potenza
• L'emettitore gate di 25 V massimo protegge il gate dall'overdrive
• La corrente di collettore continua di 60 A supporta carichi di conduzione pesanti
• Il VCE(sat) di 1,55 V garantisce basse perdite di conduzione durante l'accensione
• La dissipazione di potenza massima di 330 W consente una gestione ad alta potenza
• L'emettitore gate di 25 V massimo protegge il gate dall'overdrive
Applicazioni
• Adatto per gli stadi di potenza dei convertitori risonanti nei sistemi industriali
• Ideale per alimentatori ad alta tensione che richiedono dispositivi da 1200 V
• Utilizzato per moduli di commutazione che richiedono una capacità continua di 60 A
• Può essere utilizzato in ambienti sottoposti a stress termico fino a 175 °C
• Adatto per gruppi a foro passante e schede di alimentazione utilizzabili
• Ideale per alimentatori ad alta tensione che richiedono dispositivi da 1200 V
• Utilizzato per moduli di commutazione che richiedono una capacità continua di 60 A
• Può essere utilizzato in ambienti sottoposti a stress termico fino a 175 °C
• Adatto per gruppi a foro passante e schede di alimentazione utilizzabili
Quali sono i limiti di protezione del gate da rispettare?
Mantenere le escursioni dell'emettitore di gate entro ±25 V per evitare la rottura del gate.
In che modo il campo termico influisce sulle scelte di installazione?
Il dispositivo funziona da -40 °C a 175 °C, pertanto il dissipatore termico e il flusso d'aria devono corrispondere alla temperatura superiore per mantenere temperature di giunzione sicure.
Quale metodo di montaggio è necessario per un funzionamento affidabile?
Il montaggio a foro passante su circuito stampato o il montaggio isolato su dissipatore di calore garantisce stabilità meccanica e conduzione termica.
Quale contenitore e numero di pin fornisce per il layout della scheda?
Viene fornito in un contenitore TO‐247 con tre pin per le impronte della scheda di alimentazione standard.
Link consigliati
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IC 60 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IC 20 A 3 Pin
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IHW20N120R5XKSA1 IC 20 A 3 Pin
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IC 30 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IC 150 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IC 80 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IKY40N120CS6XKSA1 IC 80 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IKQ75N120CS6XKSA1 IC 150 A TO-247, 3 Pin Foro passante