IC a singolo transistor IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 80 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 226-6119
- Codice costruttore:
- IKY40N120CS6XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 4,428 € | 132,84 € |
| 60 - 120 | 4,207 € | 126,21 € |
| 150 + | 4,03 € | 120,90 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 226-6119
- Codice costruttore:
- IKY40N120CS6XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 80A | |
| Tipo prodotto | IC a singolo transistor IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 5kW | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 25 V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.15V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 5.1mm | |
| Lunghezza | 41.2mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continua collettore Ic 80A | ||
Tipo prodotto IC a singolo transistor IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 5kW | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 25 V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.15V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 5.1mm | ||
Lunghezza 41.2mm | ||
Standard automobilistico No | ||
L'IGBT Infineon da 40 A con diodo anti-parallelo è un diodo anti-parallelo a recupero rapido molto morbido e presenta un comportamento stabile in temperatura e robustezza elevata. Ha utilizzato una bassa carica di gate.
Basse interferenze elettromagnetiche
Bassa carica di gate QG
Bassa tensione di saturazione IF 1,85 V combinata con basse perdite di commutazione
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