IC a singolo transistor IGBT Infineon IKQ75N120CS6XKSA1, VCE 1200 V, IC 150 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro
- Codice RS:
- 226-6111
- Codice Distrelec:
- 303-41-207
- Codice costruttore:
- IKQ75N120CS6XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 226-6111
- Codice Distrelec:
- 303-41-207
- Codice costruttore:
- IKQ75N120CS6XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 150A | |
| Tipo prodotto | IC a singolo transistor IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 880W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 31ns | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.85V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 25 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC47/20/22 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continua collettore Ic 150A | ||
Tipo prodotto IC a singolo transistor IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 880W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 31ns | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.85V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 25 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC47/20/22 | ||
Standard automobilistico No | ||
L'IGBT Infineon da 5 A con diodo anti-parallelo è un diodo anti-parallelo a recupero rapido molto morbido e presenta un comportamento stabile in temperatura e robustezza elevata. Ha utilizzato una bassa carica di gate.
Basse interferenze elettromagnetiche
Bassa carica di gate QG
Bassa tensione di saturazione IF 1,85 V combinata con basse perdite di commutazione
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