IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 150 A, canale N, PG-TO247

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Codice RS:
226-6110
Codice costruttore:
IKQ75N120CS6XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

150 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

25V

Dissipazione di potenza massima

880 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

PG-TO247

Configurazione

Single

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

L'IGBT Infineon da 5 A con diodo anti-parallelo è un diodo anti-parallelo a recupero rapido molto morbido e presenta un comportamento stabile in temperatura e robustezza elevata. Ha utilizzato una bassa carica di gate.

Basse interferenze elettromagnetiche
Bassa carica di gate QG
Bassa tensione di saturazione IF 1,85 V combinata con basse perdite di commutazione

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