IC a singolo transistor IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 150 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Codice RS:
226-6110
Codice costruttore:
IKQ75N120CS6XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IC a singolo transistor IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

150A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

880W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

31ns

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.85V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

25 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

JEDEC47/20/22

Standard automobilistico

No

L'IGBT Infineon da 5 A con diodo anti-parallelo è un diodo anti-parallelo a recupero rapido molto morbido e presenta un comportamento stabile in temperatura e robustezza elevata. Ha utilizzato una bassa carica di gate.

Basse interferenze elettromagnetiche

Bassa carica di gate QG

Bassa tensione di saturazione IF 1,85 V combinata con basse perdite di commutazione

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