IC a singolo transistor IGBT Infineon IKQ120N60TXKSA1, VCE 600 V, IC 160 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
226-6109
Codice costruttore:
IKQ120N60TXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IC a singolo transistor IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

160A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

833W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.5V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

5.1mm

Lunghezza

41.2mm

Serie

TrenchStop

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon IKQ120N60T ha IGBT discreti a commutazione rigida da 600 V con diodo anti-parallelo che utilizza un IC a densità di potenza del sistema più elevata che aumenta mantenendo le stesse prestazioni termiche del sistema e ha una maggiore affidabilità con una durata prolungata del dispositivo.

Area del pad termico attivo più grande del 35% per una resistenza termica inferiore fino al 20% R th(jh)

Distanza di dispersione estesa di 4,25 mm - 2 mm più grande rispetto A TO-247

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