IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 160 A, canale N, PG-TO247
- Codice RS:
- 226-6109
- Codice costruttore:
- IKQ120N60TXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 226-6109
- Codice costruttore:
- IKQ120N60TXKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 160 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V | |
| Tensione massima gate emitter | 20V | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Dissipazione di potenza massima | 833 W. | |
| Tipo di package | PG-TO247 | |
| Configurazione | Single | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 160 A | ||
Tensione massima collettore emitter 600 V | ||
Tensione massima gate emitter 20V | ||
Numero di transistor 1 | ||
Dissipazione di potenza massima 833 W. | ||
Tipo di package PG-TO247 | ||
Configurazione Single | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Infineon IKQ120N60T ha IGBT discreti a commutazione rigida da 600 V con diodo anti-parallelo che utilizza un IC a densità di potenza del sistema più elevata che aumenta mantenendo le stesse prestazioni termiche del sistema e ha una maggiore affidabilità con una durata prolungata del dispositivo.
Area del pad termico attivo più grande del 35% per una resistenza termica inferiore fino al 20% R th(jh)
Distanza di dispersione estesa di 4,25 mm - 2 mm più grande rispetto A TO-247
Distanza di dispersione estesa di 4,25 mm - 2 mm più grande rispetto A TO-247