IC a singolo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 215-6610
- Codice costruttore:
- AIGW50N65F5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
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| 150 + | 4,302 € | 129,06 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6610
- Codice costruttore:
- AIGW50N65F5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 80A | |
| Tipo prodotto | IC a singolo transistor IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 270W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±30 V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.66V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continua collettore Ic 80A | ||
Tipo prodotto IC a singolo transistor IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 270W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±30 V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.66V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Transistor bipolare ad alta velocità a gate isolato rapido a tre pin Infineon.
Elevata efficienza
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica
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