IC a singolo transistor IGBT Infineon AIGW50N65F5XKSA1, VCE 650 V, IC 80 A, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-6611
Codice costruttore:
AIGW50N65F5XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

80A

Tipo prodotto

IC a singolo transistor IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

270W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

±30 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.66V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

High Speed Fifth Generation

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Transistor bipolare ad alta velocità a gate isolato rapido a tre pin Infineon.

Elevata efficienza

Basse perdite di commutazione

Maggiore affidabilità

Bassa interferenza elettromagnetica

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