IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 85 A, canale N, PG-TO247

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Codice RS:
226-6112
Codice costruttore:
IKW30N65EL5XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

85 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

30V

Dissipazione di potenza massima

227 W

Numero di transistor

1

Configurazione

Single

Tipo di package

PG-TO247

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Infineon IKW30N65EL5 ha una tensione di scarica distruttiva di 650V che utilizza una tensione di saturazione molto bassa dell'emettitore collettore e una maggiore efficienza per 50Hz. Offre una maggiore durata e affidabilità dell'IGBT.

Bassa carica di gate QG
Temperatura di giunzione massima 175 °C.
Qualificato in base a JEDEC per le applicazioni target

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