IC a singolo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 85 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

78,48 €

(IVA esclusa)

95,76 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 570 unità in spedizione dal 25 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per Tubo*
30 - 302,616 €78,48 €
60 - 1202,485 €74,55 €
150 +2,38 €71,40 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
226-6112
Codice costruttore:
IKW30N65EL5XKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IC a singolo transistor IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

85A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

227W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.5V

Tensione emettitore gate massima VGEO

30 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

JEDEC

Serie

LowVCE(sat) Fifth Generation

Altezza

5.3mm

Lunghezza

41.9mm

Standard automobilistico

No

Infineon IKW30N65EL5 ha una tensione di scarica distruttiva di 650V che utilizza una tensione di saturazione molto bassa dell'emettitore collettore e una maggiore efficienza per 50Hz. Offre una maggiore durata e affidabilità dell'IGBT.

Bassa carica di gate QG

Temperatura di giunzione massima 175 °C.

Qualificato in base a JEDEC per le applicazioni target

Link consigliati