IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 85 A, canale N, PG-TO247
- Codice RS:
- 226-6113
- Codice costruttore:
- IKW30N65EL5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 3,925 € | 7,85 € |
| 10 - 18 | 3,535 € | 7,07 € |
| 20 - 48 | 3,295 € | 6,59 € |
| 50 - 98 | 3,06 € | 6,12 € |
| 100 + | 2,545 € | 5,09 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 226-6113
- Codice costruttore:
- IKW30N65EL5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 85 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | 30V | |
| Dissipazione di potenza massima | 227 W | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Tipo di package | PG-TO247 | |
| Configurazione | Single | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 85 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter 30V | ||
Dissipazione di potenza massima 227 W | ||
Numero di transistor 1 | ||
Tipo di package PG-TO247 | ||
Configurazione Single | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Infineon IKW30N65EL5 ha una tensione di scarica distruttiva di 650V che utilizza una tensione di saturazione molto bassa dell'emettitore collettore e una maggiore efficienza per 50Hz. Offre una maggiore durata e affidabilità dell'IGBT.
Bassa carica di gate QG
Temperatura di giunzione massima 175 °C.
Qualificato in base a JEDEC per le applicazioni target
Temperatura di giunzione massima 175 °C.
Qualificato in base a JEDEC per le applicazioni target