IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 85 A, canale N, TO-247, 4 Pin Foro passante

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

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Codice RS:
215-6676
Codice costruttore:
IKZ50N65EH5XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

85A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

273W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

N

Numero pin

4

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

±30 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.65V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

JEDEC

Serie

High Speed Fifth Generation

Standard automobilistico

No

Il transistor bipolare a gate isolato e diodo duopack 650V Infineon è stato copacked con Rapid 1 diodo antiparallelo rapido e morbido.

Elevata efficienza

Basse perdite di commutazione

Maggiore affidabilità

Bassa interferenza elettromagnetica

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