IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 85 A, PG-TO247-4
- Codice RS:
- 215-6676
- Codice costruttore:
- IKZ50N65EH5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 tubo da 30 unità*
77,76 €
(IVA esclusa)
94,86 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 2,592 € | 77,76 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6676
- Codice costruttore:
- IKZ50N65EH5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 85 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20 V, ±30 V | |
| Dissipazione di potenza massima | 273 W | |
| Tipo di package | PG-TO247-4 | |
| Numero pin | 4 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 85 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20 V, ±30 V | ||
Dissipazione di potenza massima 273 W | ||
Tipo di package PG-TO247-4 | ||
Numero pin 4 | ||
Il transistor bipolare a gate isolato e diodo duopack 650V Infineon è stato copacked con Rapid 1 diodo antiparallelo rapido e morbido.
Elevata efficienza
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica