IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 85 A, canale N, TO-247, 3 Pin Foro passante

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60 - 1202,372 €71,16 €
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300 - 5702,173 €65,19 €
600 +2,023 €60,69 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
215-6633
Codice costruttore:
IGW30N65L5XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

85A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

227W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

±30 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.5V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC

Serie

LowVCE(sat) Fifth Generation

Standard automobilistico

No

Transistor bipolare a gate isolato Infineon di quinta generazione con bassa tensione di saturazione.

Elevata efficienza

Basse perdite di commutazione

Maggiore affidabilità

Bassa interferenza elettromagnetica

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