IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3

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Codice RS:
228-6508
Codice costruttore:
AIKW50N65RF5XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

80 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20.0V

Dissipazione di potenza massima

250 W

Tipo di package

PG-TO247-3

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Infineon AIKW50N65RF5 è un'alimentazione discreta ibrida con tecnologia di alimentazione SiC con le migliori prestazioni in termini di costi, è l'aspetto più importante per le applicazioni ausiliarie nei veicoli elettrici e nei veicoli ibridi. L'ibrido di IGBT a commutazione rapida AUTOMATICA 5 TRENCHSTOP 650V e diodo Schottky CoolSiC per consentire un aumento delle prestazioni efficiente in termini di costi per applicazioni automobilistiche a commutazione rapida come caricabatterie a bordo scheda, PFC, c.c.-c.c. e c.c.-c.a.

IGBT a commutazione rapida Trenchstop 5
Efficienza migliore della categoria in topologie a commutazione e risonanza difficili
Bassa carica di gate QG
Temperatura di giunzione massima 175 °C.

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