IGBT Infineon IKW75N65EH5XKSA1, VCE 650 V, IC 90 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-6675
Codice costruttore:
IKW75N65EH5XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

90A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

395W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

±30 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.65V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

JEDEC

Lunghezza

41.42mm

Serie

High Speed Fifth Generation

Standard automobilistico

No

Transistor bipolare a gate isolato Infineon con tecnologia H5 ad alta velocità.

Elevata efficienza

Basse perdite di commutazione

Maggiore affidabilità

Bassa interferenza elettromagnetica

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