IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 90 A, PG-TO247-3
- Codice RS:
- 215-6675
- Codice costruttore:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 5,485 € | 10,97 € |
| 10 - 18 | 4,985 € | 9,97 € |
| 20 - 48 | 4,655 € | 9,31 € |
| 50 - 98 | 4,33 € | 8,66 € |
| 100 + | 4,00 € | 8,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6675
- Codice costruttore:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 90 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20 V, ±30 V | |
| Dissipazione di potenza massima | 395 W | |
| Tipo di package | PG-TO247-3 | |
| Numero pin | 3 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 90 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20 V, ±30 V | ||
Dissipazione di potenza massima 395 W | ||
Tipo di package PG-TO247-3 | ||
Numero pin 3 | ||
Transistor bipolare a gate isolato Infineon con tecnologia H5 ad alta velocità.
Elevata efficienza
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica