IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, PG-TO247
- Codice RS:
- 226-6116
- Codice costruttore:
- IKW50N65EH5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 3,584 € | 107,52 € |
| 60 - 120 | 3,405 € | 102,15 € |
| 150 + | 3,262 € | 97,86 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 226-6116
- Codice costruttore:
- IKW50N65EH5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 80 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | 30V | |
| Dissipazione di potenza massima | 275 W | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Configurazione | Single | |
| Tipo di package | PG-TO247 | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 80 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter 30V | ||
Dissipazione di potenza massima 275 W | ||
Numero di transistor 1 | ||
Configurazione Single | ||
Tipo di package PG-TO247 | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Infineon IKW50N65EH5 è un IGBT ad alta velocità a commutazione elevata da 650 V che utilizza co-impaccato con tecnologia Rapid si-diode. Ha un design a maggiore densità di potenza e ha un basso COES/EOSS.
Fattore 2,5 Qg inferiore
Fattore 2 riduzione delle perdite di commutazione
200mV riduzione di VCEsat
Fattore 2 riduzione delle perdite di commutazione
200mV riduzione di VCEsat