IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, PG-TO247

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
226-6118
Codice costruttore:
IKW50N65EH5XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

80 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

30V

Dissipazione di potenza massima

275 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

PG-TO247

Configurazione

Single

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Infineon IKW50N65EH5 è un IGBT ad alta velocità a commutazione elevata da 650 V che utilizza co-impaccato con tecnologia Rapid si-diode. Ha un design a maggiore densità di potenza e ha un basso COES/EOSS.

Fattore 2,5 Qg inferiore
Fattore 2 riduzione delle perdite di commutazione
200mV riduzione di VCEsat

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