IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 65 A, PG-TO247-3
- Codice RS:
- 225-0572
- Codice costruttore:
- IHW30N65R6XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,594 € | 12,97 € |
| 25 - 45 | 2,334 € | 11,67 € |
| 50 - 120 | 2,178 € | 10,89 € |
| 125 - 245 | 2,02 € | 10,10 € |
| 250 + | 1,894 € | 9,47 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 225-0572
- Codice costruttore:
- IHW30N65R6XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 65 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±30V | |
| Dissipazione di potenza massima | 160 W | |
| Tipo di package | PG-TO247-3 | |
| Numero pin | 3 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 65 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±30V | ||
Dissipazione di potenza massima 160 W | ||
Tipo di package PG-TO247-3 | ||
Numero pin 3 | ||
Infineon IHW30N65R6 è un IGBT da 650 V, 30 A con diodo integrato monoliticamente in contenitore TO-247 con diodo integrato monoliticamente progettato per soddisfare i requisiti più esigenti di applicazioni di riscaldamento a induzione utilizzando la topologia risonante half-bridge.
Elevata robustezza e comportamento a temperatura stabile
Basse interferenze elettromagnetiche
Placcatura senza piombo; conformità RoHS
Potente diodo monolitico a conduzione inversa con bassa tensione diretta
Basse interferenze elettromagnetiche
Placcatura senza piombo; conformità RoHS
Potente diodo monolitico a conduzione inversa con bassa tensione diretta