IGBT a conduzione inversa Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 215-6645
- Codice costruttore:
- IHW50N65R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 1,776 € | 53,28 € |
| 60 - 120 | 1,687 € | 50,61 € |
| 150 - 270 | 1,616 € | 48,48 € |
| 300 - 570 | 1,545 € | 46,35 € |
| 600 + | 1,438 € | 43,14 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6645
- Codice costruttore:
- IHW50N65R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | IGBT a conduzione inversa | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 80A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 282W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.35V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022 | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto IGBT a conduzione inversa | ||
Corrente massima continua collettore Ic 80A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 282W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.35V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022 | ||
Serie Resonant Switching | ||
Standard automobilistico No | ||
Transistor bipolare a gate isolato con conduzione inversa Infineon con diodo monolitico.
Elevata efficienza
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica
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