IGBT a conduzione inversa Infineon IHW50N65R5XKSA1, VCE 650 V, IC 80 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

6,05 €

(IVA esclusa)

7,38 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 183,025 €6,05 €
20 - 482,73 €5,46 €
50 - 982,545 €5,09 €
100 - 1982,36 €4,72 €
200 +1,51 €3,02 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-6646
Codice costruttore:
IHW50N65R5XKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IGBT a conduzione inversa

Corrente massima continua collettore Ic

80A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

282W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.35V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

Pb-free lead plating, RoHS, JESD-022

Serie

Resonant Switching

Standard automobilistico

No

Transistor bipolare a gate isolato con conduzione inversa Infineon con diodo monolitico.

Elevata efficienza

Basse perdite di commutazione

Maggiore affidabilità

Bassa interferenza elettromagnetica

Link consigliati