IC a singolo transistor IGBT Infineon IHW30N65R5XKSA1, VCE 650 V, IC 60 A, canale N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 215-6637
- Codice costruttore:
- IHW30N65R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 tubo da 30 unità*
57,15 €
(IVA esclusa)
69,72 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 240 unità in spedizione dal 26 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 1,905 € | 57,15 € |
| 60 - 120 | 1,809 € | 54,27 € |
| 150 - 270 | 1,733 € | 51,99 € |
| 300 - 570 | 1,657 € | 49,71 € |
| 600 + | 1,543 € | 46,29 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6637
- Codice costruttore:
- IHW30N65R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 60A | |
| Tipo prodotto | IC a singolo transistor IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 176W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.7V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 5.21mm | |
| Larghezza | 16.13mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Lunghezza | 42mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continua collettore Ic 60A | ||
Tipo prodotto IC a singolo transistor IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 176W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.7V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 5.21mm | ||
Larghezza 16.13mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Serie Resonant Switching | ||
Lunghezza 42mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Transistor bipolare a gate isolato con conduzione inversa serie di commutazione risonante Infineon con diodo monolitico.
Elevata efficienza
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica
Link consigliati
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IHW30N65R5XKSA1 IC 60 A TO-247, 3 Pin Foro passante
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IC 75 A 3 Pin
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IKW75N65RH5XKSA1 IC 75 A 3 Pin
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IC 74 A 3 Pin Foro passante
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IC 80 A 3 Pin Foro passante
- IC a singolo transistor IGBT Infineon AIGW40N65H5XKSA1 IC 74 A 3 Pin Foro passante
- IC a singolo transistor IGBT Infineon AIGW50N65F5XKSA1 IC 80 A 3 Pin Foro passante
- IC a singolo transistor IGBT Infineon IC 74 A TO-247, 3 Pin Superficie