IC a singolo transistor IGBT Infineon IHW30N65R5XKSA1, VCE 650 V, IC 60 A, canale N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 215-6639
- Codice costruttore:
- IHW30N65R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6639
- Codice costruttore:
- IHW30N65R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | IC a singolo transistor IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 60A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 176W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.7V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 42mm | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Larghezza | 16.13mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 5.21mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto IC a singolo transistor IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 60A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 176W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.7V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 42mm | ||
Serie Resonant Switching | ||
Larghezza 16.13mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 5.21mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Transistor bipolare a gate isolato con conduzione inversa serie di commutazione risonante Infineon con diodo monolitico.
Elevata efficienza
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica
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