Modulo IGBT Infineon IGW50N65F5FKSA1, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO-247, 3 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
259-1527
Codice costruttore:
IGW50N65F5FKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

50A

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

305W

Tipo di package

PG-TO-247

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 ±30 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.6V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC

Standard automobilistico

No

La nuova tecnologia TRENCHSTOPIGBT di Infineon ridefinisce l'IGBT "best-in-class" fornendo prestazioni ineguagliabili in termini di efficienza per le applicazioni di commutazione rigida. La nuova famiglia rappresenta un importante passo avanti nell'innovazione IGBT per soddisfare le esigenze di elevata efficienza del mercato di domani. Ha la migliore efficienza della categoria, con conseguente riduzione della temperatura di giunzione e del contenitore che porta a una maggiore affidabilità del dispositivo. Possibile aumento della tensione del bus di 50 V senza compromettere l'affidabilità.

Tensione di svolta 650 V

Rispetto alla migliore famiglia HighSpeed 3 di Infineon

Fattore 2,5 Qg inferiore

Riduzione del fattore 2 delle perdite di commutazione

Riduzione di 200 mV in V CE(sat)

Basso C OES/E OSS

Coefficiente di temperatura lieve positivo V CE(sat)

Stabilità della temperatura

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