Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3
- Codice RS:
- 259-1526
- Codice costruttore:
- IGW50N65F5FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,218 € | 66,54 € |
| 60 - 120 | 2,107 € | 63,21 € |
| 150 + | 2,018 € | 60,54 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 259-1526
- Codice costruttore:
- IGW50N65F5FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 80 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 305 W | |
| Tipo di package | PG-TO247-3 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 80 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 305 W | ||
Tipo di package PG-TO247-3 | ||
La nuova tecnologia TRENCHSTOPIGBT di Infineon ridefinisce l'IGBT "best-in-class" fornendo prestazioni ineguagliabili in termini di efficienza per le applicazioni di commutazione rigida. La nuova famiglia rappresenta un importante passo avanti nell'innovazione IGBT per soddisfare le esigenze di elevata efficienza del mercato di domani. Ha la migliore efficienza della categoria, con conseguente riduzione della temperatura di giunzione e del contenitore che porta a una maggiore affidabilità del dispositivo. Possibile aumento della tensione del bus di 50 V senza compromettere l'affidabilità.
Tensione di svolta 650 V
Rispetto alla migliore famiglia HighSpeed 3 di Infineon
Fattore 2,5 Qg inferiore
Riduzione del fattore 2 delle perdite di commutazione
Riduzione di 200 mV in V CE(sat)
Basso C OES/E OSS
Coefficiente di temperatura lieve positivo V CE(sat)
Stabilità della temperatura
Rispetto alla migliore famiglia HighSpeed 3 di Infineon
Fattore 2,5 Qg inferiore
Riduzione del fattore 2 delle perdite di commutazione
Riduzione di 200 mV in V CE(sat)
Basso C OES/E OSS
Coefficiente di temperatura lieve positivo V CE(sat)
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