Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

8,86 €

(IVA esclusa)

10,81 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 185 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 98,86 €
10 - 248,41 €
25 - 498,24 €
50 - 997,69 €
100 +7,16 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
249-6944
Codice costruttore:
IKW50N65SS5XKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

50 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

15V

Numero di transistor

2

Dissipazione di potenza massima

274 W

Tipo di package

PG-TO247-3

Configurazione

Single

L'IGBT Infineon TRENCHSTOP 5S5 è dotato di un diodo a barriera Schottky Cool SiCTMS di 6 generazione con valore nominale completo. Perdite di commutazione estremamente ridotte grazie alla combinazione delle tecnologie TRENCHSTOPTM5 e CoolSiCTM. Efficienza di riferimento nelle topologie di commutazione rigide. Sostituzione plug-and-play dei dispositivi in silicio puro. La temperatura massima di giunzione è di 175 °C

Alimentatori industriali - SMPS industriali
Generazione di energia
Inverter a stringa solare
Distribuzione di energia -Accumulo di energia

Link consigliati