Modulo IGBT Infineon IKW50N65SS5XKSA1, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO-247, 3 Pin
- Codice RS:
- 249-6944
- Codice costruttore:
- IKW50N65SS5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 249-6944
- Codice costruttore:
- IKW50N65SS5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 80A | |
| Tipo prodotto | Modulo IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 274W | |
| Tipo di package | PG-TO-247 | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 20ns | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.35V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 5.3mm | |
| Lunghezza | 41.9mm | |
| Larghezza | 16.3 mm | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continua collettore Ic 80A | ||
Tipo prodotto Modulo IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 274W | ||
Tipo di package PG-TO-247 | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 20ns | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.35V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 5.3mm | ||
Lunghezza 41.9mm | ||
Larghezza 16.3 mm | ||
Standard/Approvazioni JEDEC | ||
Standard automobilistico No | ||
L'IGBT Infineon TRENCHSTOP 5S5 è dotato di un diodo a barriera Schottky Cool SiCTMS di 6ª generazione con valore nominale completo. Perdite di commutazione estremamente ridotte grazie alla combinazione delle tecnologie TRENCHSTOPTM5 e CoolSiCTM. Efficienza di riferimento nelle topologie di commutazione rigide. Sostituzione plug-and-play dei dispositivi in silicio puro. La temperatura massima di giunzione è di 175 °C
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