Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3

Visualizza IGBT

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

99,36 €

(IVA esclusa)

121,23 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 210 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
30 +3,312 €99,36 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
249-6940
Codice costruttore:
IKW50N65RH5XKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

50 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

15V

Numero di transistor

2

Dissipazione di potenza massima

305 W

Tipo di package

PG-TO247-3

Configurazione

Single

IGBT Infineon TRENCHSTOP5 H5 con diodo a barriera Schottky CoolSiCTM di 6 generazione con valore nominale pari a metà. Perdite di commutazione estremamente ridotte grazie alla combinazione delle tecnologie TRENCHSTOPTM5 e CoolSiCTM. Efficienza di riferimento nelle topologie di commutazione rigide. Sostituzione plug-and-play dei dispositivi in silicio puro. La temperatura massima di giunzione è di 175 °C

Alimentatori industriali
Industrial SMPS
Energy Generation
Inverter a stringa solare
Distribuzione dell'energia - Stoccaggio dell'energia
Carica infrastrutturale - Caricabatterie

Link consigliati