Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3
- Codice RS:
- 259-1532
- Codice costruttore:
- IKW50N65F5FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 3,441 € | 103,23 € |
| 60 - 120 | 3,269 € | 98,07 € |
| 150 + | 3,131 € | 93,93 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 259-1532
- Codice costruttore:
- IKW50N65F5FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 80 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 305 W | |
| Tipo di package | PG-TO247-3 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 80 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 305 W | ||
Tipo di package PG-TO247-3 | ||
L'IGBT a commutazione rigida ad alta velocità Infineon è dotato di un diodo anti-parallelo rapido e morbido RAPID 1 in un contenitore TO-247, definito come IGBT "migliore della categoria". Ha la migliore efficienza della categoria, con conseguente riduzione della temperatura di giunzione e del contenitore che porta a una maggiore affidabilità del dispositivo. Possibile aumento della tensione del bus di 50 V senza compromettere l'affidabilità.
Tensione di svolta 650 V
Rispetto alla famiglia HighSpeed 3 migliore della categoria
Fattore 2,5 Qg inferiore
Riduzione del fattore 2 delle perdite di commutazione
Riduzione di 200 mV in VCEsat
Confezionato con tecnologia Rapid Si-diode
Basso COES/EOSS
Coefficiente di temperatura lieve positivo VCEsa
Rispetto alla famiglia HighSpeed 3 migliore della categoria
Fattore 2,5 Qg inferiore
Riduzione del fattore 2 delle perdite di commutazione
Riduzione di 200 mV in VCEsat
Confezionato con tecnologia Rapid Si-diode
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