Modulo IGBT Infineon IKW50N65H5FKSA1, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO-247, 3 Pin
- Codice RS:
- 259-1535
- Codice costruttore:
- IKW50N65H5FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 3,985 € | 7,97 € |
| 10 - 18 | 3,625 € | 7,25 € |
| 20 - 48 | 3,385 € | 6,77 € |
| 50 - 98 | 3,145 € | 6,29 € |
| 100 + | 2,91 € | 5,82 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 259-1535
- Codice costruttore:
- IKW50N65H5FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Modulo IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 50A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 305W | |
| Tipo di package | PG-TO-247 | |
| Numero pin | 3 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 ±30 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC | |
| Lunghezza | 41.42mm | |
| Larghezza | 16.13 mm | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Modulo IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 50A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 305W | ||
Tipo di package PG-TO-247 | ||
Numero pin 3 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 ±30 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC | ||
Lunghezza 41.42mm | ||
Larghezza 16.13 mm | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Standard automobilistico No | ||
L'IGBT5 ad alta velocità Infineon è dotato di un diodo anti-parallelo rapido e morbido RAPID 1 in un contenitore TO-247, definito come IGBT "migliore della categoria". Ha la migliore efficienza della categoria, con conseguente riduzione della temperatura di giunzione e del contenitore che porta a una maggiore affidabilità del dispositivo. Possibile aumento della tensione del bus di 50 V senza compromettere l'affidabilità.
Tensione di svolta 650 V
Rispetto alla famiglia HighSpeed 3 migliore della categoria
Fattore 2,5 Qg inferiore
Riduzione del fattore 2 delle perdite di commutazione
Riduzione di 200 mV in VCEsat
Confezionato con tecnologia Rapid Si-diode
Basso COES/EOSS
Coefficiente di temperatura lieve positivo VCEsa
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