Modulo IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO-247, 3 Pin

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Codice RS:
259-1534
Codice costruttore:
IKW50N65H5FKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

50A

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

305W

Tipo di package

PG-TO-247

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 ±30 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

JEDEC

Lunghezza

41.42mm

Larghezza

16.13 mm

Serie

High Speed Fifth Generation

Standard automobilistico

No

L'IGBT5 ad alta velocità Infineon è dotato di un diodo anti-parallelo rapido e morbido RAPID 1 in un contenitore TO-247, definito come IGBT "migliore della categoria". Ha la migliore efficienza della categoria, con conseguente riduzione della temperatura di giunzione e del contenitore che porta a una maggiore affidabilità del dispositivo. Possibile aumento della tensione del bus di 50 V senza compromettere l'affidabilità.

Tensione di svolta 650 V

Rispetto alla famiglia HighSpeed 3 migliore della categoria

Fattore 2,5 Qg inferiore

Riduzione del fattore 2 delle perdite di commutazione

Riduzione di 200 mV in VCEsat

Confezionato con tecnologia Rapid Si-diode

Basso COES/EOSS

Coefficiente di temperatura lieve positivo VCEsa

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