IGBT Infineon IGW30N65L5XKSA1, VCE 650 V, IC 85 A, canale N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 215-6634
- Codice costruttore:
- IGW30N65L5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 20 | 4,474 € | 22,37 € |
| 25 - 45 | 3,67 € | 18,35 € |
| 50 - 120 | 3,402 € | 17,01 € |
| 125 - 245 | 3,176 € | 15,88 € |
| 250 + | 2,952 € | 14,76 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6634
- Codice costruttore:
- IGW30N65L5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 85A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 227W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±30 V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC | |
| Serie | LowVCE(sat) Fifth Generation | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continua collettore Ic 85A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 227W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±30 V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni Pb-free lead plating, RoHS, JEDEC | ||
Serie LowVCE(sat) Fifth Generation | ||
Standard automobilistico No | ||
Transistor bipolare a gate isolato Infineon di quinta generazione con bassa tensione di saturazione.
Elevata efficienza
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica
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