IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 30 A, PG-TO252-3
- Codice RS:
- 215-6656
- Codice costruttore:
- IKD15N60RATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
1622,50 €
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1980,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,649 € | 1.622,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6656
- Codice costruttore:
- IKD15N60RATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 30 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 250 W | |
| Tipo di package | PG-TO252-3 | |
| Numero pin | 3 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 30 A | ||
Tensione massima collettore emitter 600 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 250 W | ||
Tipo di package PG-TO252-3 | ||
Numero pin 3 | ||
Transistor bipolare a gate isolato Infineon con diodo integrato nei contenitori che offre un vantaggio salvaspazio.
Elevata efficienza
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica