IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 20 A, canale N, PG-TO252

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Codice RS:
226-6097
Codice costruttore:
IKD10N60RATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

20 A

Tensione massima collettore emitter

600 V

Tensione massima gate emitter

20V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

150 W

Tipo di package

PG-TO252

Configurazione

Single

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Infineon IKD03N60RF offre una maggiore affidabilità grazie all'IGBT e diodo integrati monoliticamente grazie a un minor numero di cicli termici durante la commutazione. Ha prestazioni di commutazione regolari che portano a un basso livello EMI e la sua gamma di funzionamento è da 4 a 30kHz.

Distribuzione dei parametri molto rigida
Temperatura di giunzione massima 175 °C.
Capacità di corto circuito di 5μs

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