IGBT Bourns, VCE 600 V, IC 5 A, TO-252

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
253-3500P
Codice costruttore:
BIDD05N60T
Costruttore:
Bourns
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Marchio

Bourns

Corrente massima continuativa collettore

5 A

Tensione massima collettore emitter

600 V

Tensione massima gate emitter

±30V

Dissipazione di potenza massima

82 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

TO-252

Configurazione

Diodo singolo

Il dispositivo IGBT Bourns combina la tecnologia di un gate MOS e un transistor bipolare per un componente ottimale per applicazioni ad alta tensione e corrente elevata. Questo dispositivo utilizza la tecnologia Trench-Gate Field-Stop che fornisce un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche con una minore tensione di saturazione di collettore ed emettitore (VCE(sat)) e meno perdite di commutazione. Inoltre, questa struttura migliora la robustezza del dispositivo.

600 V, 5 A, basso VCE(sat)
Tecnologia Field-Stop Trench-Gate
Ottimizzato per la conduzione
Robusto
Conforme a RoHS

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