IGBT Bourns, VCE 600 V, IC 5 A, TO-252
- Codice RS:
- 253-3500
- Codice costruttore:
- BIDD05N60T
- Costruttore:
- Bourns
2455 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 5
1,144 €
(IVA esclusa)
1,396 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 5 - 45 | 1,144 € | 5,72 € |
| 50 - 95 | 0,98 € | 4,90 € |
| 100 - 245 | 0,80 € | 4,00 € |
| 250 - 995 | 0,784 € | 3,92 € |
| 1000 + | 0,662 € | 3,31 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 253-3500
- Codice costruttore:
- BIDD05N60T
- Costruttore:
- Bourns
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il dispositivo IGBT Bourns combina la tecnologia di un gate MOS e un transistor bipolare per un componente ottimale per applicazioni ad alta tensione e corrente elevata. Questo dispositivo utilizza la tecnologia Trench-Gate Field-Stop che fornisce un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche con una minore tensione di saturazione di collettore ed emettitore (VCE(sat)) e meno perdite di commutazione. Inoltre, questa struttura migliora la robustezza del dispositivo.
600 V, 5 A, basso VCE(sat)
Tecnologia Field-Stop Trench-Gate
Ottimizzato per la conduzione
Robusto
Conforme a RoHS
Tecnologia Field-Stop Trench-Gate
Ottimizzato per la conduzione
Robusto
Conforme a RoHS
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Corrente massima continuativa collettore | 5 A |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V |
| Tensione massima gate emitter | ±30V |
| Dissipazione di potenza massima | 82 W |
| Numero di transistor | 1 |
| Tipo di package | TO-252 |
| Configurazione | Diodo singolo |