IGBT Bourns BIDD05N60T, VCE 600 V, TO-252
- Codice RS:
- 253-3500
- Codice costruttore:
- BIDD05N60T
- Costruttore:
- Bourns
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 253-3500
- Codice costruttore:
- BIDD05N60T
- Costruttore:
- Bourns
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Bourns | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 600V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 82W | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±30 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Serie | BIDD05N60T | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Bourns | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 82W | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±30 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Serie BIDD05N60T | ||
Standard automobilistico No | ||
Il dispositivo IGBT Bourns combina la tecnologia di un gate MOS e un transistor bipolare per un componente ottimale per applicazioni ad alta tensione e corrente elevata. Questo dispositivo utilizza la tecnologia Trench-Gate Field-Stop che fornisce un maggiore controllo delle caratteristiche dinamiche con una minore tensione di saturazione di collettore ed emettitore (VCE(sat)) e meno perdite di commutazione. Inoltre, questa struttura migliora la robustezza del dispositivo.
600 V, 5 A, basso VCE(sat)
Tecnologia Field-Stop Trench-Gate
Ottimizzato per la conduzione
Robusto
Conforme a RoHS