IGBT Infineon IGB10N60TATMA1, VCE 600 V, IC 20 A, canale Tipo N, TO-263, 3 Pin Superficie

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 20 unità*

18,22 €

(IVA esclusa)

22,22 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 560 unità in spedizione dal 13 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
20 - 1800,911 €18,22 €
200 - 4800,658 €13,16 €
500 - 9800,579 €11,58 €
1000 - 19800,545 €10,90 €
2000 +0,531 €10,62 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
826-9055
Codice costruttore:
IGB10N60TATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

20A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.05V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

TrenchStop

Standard/Approvazioni

JEDEC

Standard automobilistico

No

Non applicabile

Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V


Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido.

• Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 600 a 650 V

• VCEsat molto bassa

• Poche perdite di spegnimento

• Bassa corrente di coda

• EMI ridotte

• Temperatura di giunzione massima: 175 °C

IGBT discreti e moduli, Infineon


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati