IC a singolo transistor IGBT Infineon IGB15N60TATMA1, VCE 600 V, IC 26 A, canale Tipo N, TO-263, 3 Pin Superficie
- Codice RS:
- 215-6628
- Codice costruttore:
- IGB15N60TATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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| 50 - 120 | 2,16 € | 10,80 € |
| 125 - 245 | 2,036 € | 10,18 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6628
- Codice costruttore:
- IGB15N60TATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 26A | |
| Tipo prodotto | IC a singolo transistor IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 600V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 130W | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC1 | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continua collettore Ic 26A | ||
Tipo prodotto IC a singolo transistor IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 130W | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC1 | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Standard automobilistico No | ||
Transistor bipolare a gate isolato a bassa perdita Infineon con tecnologia fieldstop.
Elevata efficienza
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica
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