IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 90 A, PG-TO263-3
- Codice RS:
- 215-6629
- Codice costruttore:
- IGB50N60TATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*
1584,00 €
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1932,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,584 € | 1.584,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6629
- Codice costruttore:
- IGB50N60TATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 90 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 333 W | |
| Tipo di package | PG-TO263-3 | |
| Numero pin | 3 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 90 A | ||
Tensione massima collettore emitter 600 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 333 W | ||
Tipo di package PG-TO263-3 | ||
Numero pin 3 | ||
Transistor bipolare a gate isolato a bassa perdita Infineon con tecnologia trenchstop e fieldstop.
Elevata efficienza
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica