IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 30 A, TO-263-3
- Codice RS:
- 258-7725
- Codice costruttore:
- IKB10N60TATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
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| 25 - 45 | 1,676 € | 8,38 € |
| 50 - 120 | 1,582 € | 7,91 € |
| 125 - 245 | 1,468 € | 7,34 € |
| 250 + | 1,36 € | 6,80 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-7725
- Codice costruttore:
- IKB10N60TATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 30 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V | |
| Tensione massima gate emitter | 20V | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Dissipazione di potenza massima | 110 W | |
| Tipo di package | TO-263-3 | |
| Configurazione | Collettore singolo, emettitore singolo, gate singolo | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 30 A | ||
Tensione massima collettore emitter 600 V | ||
Tensione massima gate emitter 20V | ||
Numero di transistor 1 | ||
Dissipazione di potenza massima 110 W | ||
Tipo di package TO-263-3 | ||
Configurazione Collettore singolo, emettitore singolo, gate singolo | ||
IGBT discreto Infineon con diodo antiparallelo in contenitore TO-263. Il dispositivo presenta un miglioramento significativo delle prestazioni statiche e dinamiche, grazie alla combinazione di celle di trincea e concetto di field stop. Inoltre, presenta basse perdite di conduzione e di commutazione.
Caduta VCEsat più bassa per perdite di conduzione inferiori
Facile commutazione in parallelo grazie al coefficiente di temperatura positivo in VCEsat
Diodo antiparallelo controllato da emettitore, molto morbido e a recupero rapido
Elevata robustezza, comportamento stabile in termini di temperatura
Bassa carica del gate
Facile commutazione in parallelo grazie al coefficiente di temperatura positivo in VCEsat
Diodo antiparallelo controllato da emettitore, molto morbido e a recupero rapido
Elevata robustezza, comportamento stabile in termini di temperatura
Bassa carica del gate