IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 24 A, TO-263
- Codice RS:
- 258-7063
- Codice costruttore:
- IKB10N60TATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,615 € | 615,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-7063
- Codice costruttore:
- IKB10N60TATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 24A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 600V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 110W | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.5V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC1 | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 24A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 110W | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.5V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC1 | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Standard automobilistico No | ||
IGBT discreto Infineon con diodo antiparallelo in contenitore TO-263. Il dispositivo presenta un miglioramento significativo delle prestazioni statiche e dinamiche, grazie alla combinazione di celle di trincea e concetto di field stop. Inoltre, presenta basse perdite di conduzione e di commutazione.
Caduta VCEsat più bassa per perdite di conduzione inferiori
Facile commutazione in parallelo grazie al coefficiente di temperatura positivo in VCEsat
Diodo antiparallelo controllato da emettitore, molto morbido e a recupero rapido
Elevata robustezza, comportamento stabile in termini di temperatura
Bassa carica del gate
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