IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 30 A, TO-263-3

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Codice RS:
258-7063
Codice costruttore:
IKB10N60TATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

30 A

Tensione massima collettore emitter

600 V

Tensione massima gate emitter

20V

Dissipazione di potenza massima

110 W

Numero di transistor

1

Configurazione

Collettore singolo, emettitore singolo, gate singolo

Tipo di package

TO-263-3

IGBT discreto Infineon con diodo antiparallelo in contenitore TO-263. Il dispositivo presenta un miglioramento significativo delle prestazioni statiche e dinamiche, grazie alla combinazione di celle di trincea e concetto di field stop. Inoltre, presenta basse perdite di conduzione e di commutazione.

Caduta VCEsat più bassa per perdite di conduzione inferiori
Facile commutazione in parallelo grazie al coefficiente di temperatura positivo in VCEsat
Diodo antiparallelo controllato da emettitore, molto morbido e a recupero rapido
Elevata robustezza, comportamento stabile in termini di temperatura
Bassa carica del gate

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