IC a singolo transistor IGBT Infineon IGB50N60TATMA1, VCE 600 V, IC 90 A, canale Tipo N, TO-263, 3 Pin Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-6630
Codice costruttore:
IGB50N60TATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

IC a singolo transistor IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

90A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

333W

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

TRENCHSTOPTM

Standard/Approvazioni

RoHS, JEDEC1

Standard automobilistico

No

Transistor bipolare a gate isolato a bassa perdita Infineon con tecnologia trenchstop e fieldstop.

Elevata efficienza

Basse perdite di commutazione

Maggiore affidabilità

Bassa interferenza elettromagnetica

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