IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 10 A, canale N, D2PAK (TO-263)

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Codice RS:
165-5613
Codice costruttore:
IGB10N60TATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

10 A

Tensione massima collettore emitter

600 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

110 W

Tipo di package

D2PAK (TO-263)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Velocità di switching

1MHz

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

10.31 x 9.45 x 4.57mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Minima temperatura operativa

-40 °C

Non applicabile

Paese di origine:
CN

Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V


Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido.

• Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 600 a 650 V
• VCEsat molto bassa
• Poche perdite di spegnimento
• Bassa corrente di coda
• EMI ridotte
• Temperatura di giunzione massima: 175 °C


IGBT discreti e moduli, Infineon


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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