IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 80 A, TO-247

IGBT semiconduttore ON da 1200 V, 40 A con arresto di campo ultra. Questo IGBT utilizza un diodo confezionato con commutazione rapida che lo rende ideale per l'uso in applicazioni di commutazione dura in cui EON, IRRM e trr sono fattori importanti che determinano le perdite. Gli IGBT Ultra Field Stop offrono eccellenti perdite di commutazione per dispositivi a bassa perdita di conduzione.

Basso VCE (SAT) 1,55 V a 40 A
EON 1,04 mJ a 600 V/40
AEOFF 1,35 mJ a 600 V/40
AIRRM 41,3 A a 175 C 1 A/ns 40 A