IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 60 A, canale N, TO-247

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Codice RS:
124-5386
Codice costruttore:
NGTB30N120LWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

60 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

260 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

16.26 x 5.3 x 21.08mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Massima temperatura operativa

+150 °C

Paese di origine:
CN

IGBT discreto, ON Semiconductor


Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.


IGBT discreto, ON Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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