IGBT onsemi FGH40T120SQDNL4, VCE 1200 V, IC 40 A, canale Tipo P, TO-247, 4 Pin Foro passante

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Codice RS:
178-4594
Codice costruttore:
FGH40T120SQDNL4
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continua collettore Ic

40A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

227W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo P

Numero pin

4

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.78V

Tensione emettitore gate massima VGEO

±30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

Field Stop

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Questo transistor bipolare a gate isolato (IGBT) è dotato di una robusta e conveniente struttura Ultra Field Stop Trench e fornisce prestazioni superiori nelle applicazioni di commutazione più impegnative, offrendo sia bassa tensione in stato attivo e una perdita di commutazione minima. L'IGBT è particolarmente adatto per applicazioni UPS e a energia solare. Nel dispositivo è incorporate un diodo di ricircolo integrato graduale e veloce con una bassa tensione diretta.

Trench estremamente efficiente con tecnologia field stop • TJmax = 175 °C • Diodo a recupero inverso graduale veloce • Ottimizzato per commutazione ad alta velocità • Questi dispositivi sono senza piombo

Applicazioni

Inverter solare per saldatura UPS

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