IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 160 A, canale P, TO-247
- Codice RS:
- 178-4594
- Codice costruttore:
- FGH40T120SQDNL4
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 178-4594
- Codice costruttore:
- FGH40T120SQDNL4
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continuativa collettore | 160 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±30V | |
| Dissipazione di potenza massima | 454 W | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | P | |
| Numero pin | 4 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 15.8 x 5.2 x 22.74mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Capacità del gate | 5000pF | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continuativa collettore 160 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±30V | ||
Dissipazione di potenza massima 454 W | ||
Numero di transistor 1 | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale P | ||
Numero pin 4 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 15.8 x 5.2 x 22.74mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Capacità del gate 5000pF | ||
- Paese di origine:
- CN
On Semiconductor
On Semiconductor è un transistor a foro passante da P-Channel A−247−4L IGBT. Ha una corrente nominale massima di 160A e una tensione nominale massima di 1200V. Questo IGBT è un dispositivo robusto ed economico che fornisce prestazioni superiori nelle applicazioni di commutazione più impegnative. Offre bassa tensione in stato attivo e minima perdita di commutazione. In questo dispositivo è incorporato un diodo a ruota libera confezionato in co−morbido e veloce con una bassa tensione diretta.
Caratteristiche e vantaggi
• Conveniente
• trincea Estremamente efficiente con tecnologia di arresto di campo
• dispositivo privo Di Alogenuro
• elevata durata
• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 175°C.
• Ottimizzato per la commutazione ad alta velocità
• dispositivo senza piombo
• diodo di ripristino retromarcia rapido morbido
• TJmax è 175°C.
• trincea Estremamente efficiente con tecnologia di arresto di campo
• dispositivo privo Di Alogenuro
• elevata durata
• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 175°C.
• Ottimizzato per la commutazione ad alta velocità
• dispositivo senza piombo
• diodo di ripristino retromarcia rapido morbido
• TJmax è 175°C.
Applications
• inverter solari
• UPS
• Saldatura
• UPS
• Saldatura
Certificazioni
• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007
• bs en 61340-5-1:2007