IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 150 A, canale P, TO-247

Rispondendo alla domanda del mercato di ospitare un volume sempre crescente di silicio in contenitori più piccoli e salvaspazio, Infineon introduce il nuovo contenitore TO-247PLUS per IGBT da 1200 V. Maggiore capacità di corrente, migliore comportamento termico. Il TO-247PLUS ha le stesse dimensioni esterne del modello TO-247 standard industriale sebbene, in virtù dell’assenza del foro per la vite, consente fino a 75 A in un contenitore da 1200 V con diodo dal valore nominale di 75 A.

Elevata densità di potenza - IGBT fino a 75 A 1200 V alloggiato con un diodo da 75 A nell’ingombro TO-247
20% in meno di R th(jh) rispetto a TO-247 a 3 pin
Dispersione estesa dei pin collettore-emettitore di 4,25 mm
Dispersione estesa della clip in virtù del lato frontale completamente incapsulato del contenitore
Maggiore densità di potenza del sistema - mantenimento dell’incremento che preserva le stesse prestazioni termiche
Resistenza termica inferiore R th(jh) e miglioramento del ∼15% della capacità di dissipazione del calore di TO-247PLUS rispetto a TO-247
Maggiore affidabilità, durata prolungata del dispositivo