IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, TO-247, 3 Pin
- Codice RS:
- 260-5098
- Codice costruttore:
- IKQ75N120CH3XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 9,818 € | 294,54 € |
| 60 - 60 | 9,327 € | 279,81 € |
| 90 + | 8,738 € | 262,14 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 260-5098
- Codice costruttore:
- IKQ75N120CH3XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 75A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 938W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.35V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 ±30 V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 5.1mm | |
| Lunghezza | 41.2mm | |
| Larghezza | 15.9 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 75A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 938W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.35V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 ±30 V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 5.1mm | ||
Lunghezza 41.2mm | ||
Larghezza 15.9 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
L'IGBT3 a commutazione rigida ad alta velocità Infineon in un contenitore TO247 è dotato di un diodo controllato da emettitore anti-parallelo a corrente completa con recupero rapido e morbido.
Elevata efficienza nelle topologie di commutazione rigida e risonante
Facile possibilità di parallelo grazie alla temperatura positiva
Bassa carica gate QG