IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 80 A, PG-TO247-3-46
- Codice RS:
- 260-5091
- Codice costruttore:
- IKQ40N120CH3XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 6,13 € | 183,90 € |
| 60 - 120 | 5,823 € | 174,69 € |
| 150 + | 5,578 € | 167,34 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 260-5091
- Codice costruttore:
- IKQ40N120CH3XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 80 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 500 W | |
| Tipo di package | PG-TO247-3-46 | |
| Configurazione | Single | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 80 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 500 W | ||
Tipo di package PG-TO247-3-46 | ||
Configurazione Single | ||
L'IGBT3 a commutazione rigida ad alta velocità Infineon in contenitore TO247 PLUS con diodo controllato da emettitore anti-parallelo morbido e rapido.
Elevata efficienza nelle topologie di commutazione rigida e risonante
Facile capacità di parallelo grazie al coefficiente di temperatura positivo in VCEsat
Bassa carica gate QG
Facile capacità di parallelo grazie al coefficiente di temperatura positivo in VCEsat
Bassa carica gate QG