IGBT Infineon IKQ75N120CT2XKSA1, VCE 1200 V, IC 150 A, canale Tipo P, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
162-3324
Codice costruttore:
IKQ75N120CT2XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

150A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

938W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo P

Numero pin

3

Velocità di commutazione

20kHz

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.15V

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Serie

TrenchStop

Classificazione energetica

10.8mJ

Standard automobilistico

No

Rispondendo alla domanda del mercato di ospitare un volume sempre crescente di silicio in contenitori più piccoli e salvaspazio, Infineon introduce il nuovo contenitore TO-247PLUS per IGBT da 1200 V. Maggiore capacità di corrente, migliore comportamento termico. Il TO-247PLUS ha le stesse dimensioni esterne del modello TO-247 standard industriale sebbene, in virtù dell’assenza del foro per la vite, consente fino a 75 A in un contenitore da 1200 V con diodo dal valore nominale di 75 A.

Elevata densità di potenza - IGBT fino a 75 A 1200 V alloggiato con un diodo da 75 A nell’ingombro TO-247

20% in meno di R th(jh) rispetto a TO-247 a 3 pin

Dispersione estesa dei pin collettore-emettitore di 4,25 mm

Dispersione estesa della clip in virtù del lato frontale completamente incapsulato del contenitore

Maggiore densità di potenza del sistema - mantenimento dell’incremento che preserva le stesse prestazioni termiche

Resistenza termica inferiore R th(jh) e miglioramento del ∼15% della capacità di dissipazione del calore di TO-247PLUS rispetto a TO-247

Maggiore affidabilità, durata prolungata del dispositivo

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