IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 160 A, canale P, TO-247

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Codice RS:
178-4321
Codice costruttore:
FGH40T120SQDNL4
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

160 A

Tensione massima collettore emitter

1200 V

Tensione massima gate emitter

±30V

Numero di transistor

1

Dissipazione di potenza massima

454 W

Tipo di package

TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

P

Numero pin

4

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

15.8 x 5.2 x 22.74mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Capacità del gate

5000pF

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
CN

On Semiconductor


On Semiconductor è un transistor a foro passante da P-Channel A−247−4L IGBT. Ha una corrente nominale massima di 160A e una tensione nominale massima di 1200V. Questo IGBT è un dispositivo robusto ed economico che fornisce prestazioni superiori nelle applicazioni di commutazione più impegnative. Offre bassa tensione in stato attivo e minima perdita di commutazione. In questo dispositivo è incorporato un diodo a ruota libera confezionato in co−morbido e veloce con una bassa tensione diretta.

Caratteristiche e vantaggi


• Conveniente
• trincea Estremamente efficiente con tecnologia di arresto di campo
• dispositivo privo Di Alogenuro
• elevata durata
• la temperatura Di Esercizio è compresa tra -55°C e 175°C.
• Ottimizzato per la commutazione ad alta velocità
• dispositivo senza piombo
• diodo di ripristino retromarcia rapido morbido
• TJmax è 175°C.

Applications


• inverter solari
• UPS
• Saldatura

Certificazioni


• ANSI/ESD S20.20:2014
• bs en 61340-5-1:2007

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