IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 40 A, canale Tipo P, TO-247, 4 Pin Foro passante

Visualizza IGBT
Scorte limitate
A causa di una carenza di approvvigionamento a livello mondiale, non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
Codice RS:
178-4321
Codice costruttore:
FGH40T120SQDNL4
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

40A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Dissipazione di potenza massima Pd

227W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo P

Numero pin

4

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.78V

Tensione emettitore gate massima VGEO

±30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

Field Stop

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Questo transistor bipolare a gate isolato (IGBT) è dotato di una robusta e conveniente struttura Ultra Field Stop Trench e fornisce prestazioni superiori nelle applicazioni di commutazione più impegnative, offrendo sia bassa tensione in stato attivo e una perdita di commutazione minima. L'IGBT è particolarmente adatto per applicazioni UPS e a energia solare. Nel dispositivo è incorporate un diodo di ricircolo integrato graduale e veloce con una bassa tensione diretta.

Trench estremamente efficiente con tecnologia field stop • TJmax = 175 °C • Diodo a recupero inverso graduale veloce • Ottimizzato per commutazione ad alta velocità • Questi dispositivi sono senza piombo

Applicazioni

Inverter solare per saldatura UPS

Link consigliati