IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, TO-247
- Codice RS:
- 145-3284
- Codice costruttore:
- NGTB25N120FL3WG
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 4,165 € | 124,95 € |
| 120 - 240 | 3,332 € | 99,96 € |
| 270 - 480 | 3,149 € | 94,47 € |
| 510 - 990 | 3,021 € | 90,63 € |
| 1020 + | 2,946 € | 88,38 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 145-3284
- Codice costruttore:
- NGTB25N120FL3WG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continuativa collettore | 100 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 349 W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di switching | 1MHz | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 16.25 x 5.3 x 21.4mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Capacità del gate | 3085pF | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continuativa collettore 100 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 349 W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di switching 1MHz | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 16.25 x 5.3 x 21.4mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Capacità del gate 3085pF | ||
- Paese di origine:
- CN
IGBT discreto, ON Semiconductor
Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.
IGBT discreto, ON Semiconductor
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.