IGBT-Field Stop II onsemi NGTB35N65FL2WG, VCE 650 V, IC 70 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
842-7898
Codice costruttore:
NGTB35N65FL2WG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continua collettore Ic

70A

Tipo prodotto

IGBT-Field Stop II

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.7V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

20.8mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

Field Stop

Altezza

5.3mm

Larghezza

16.25 mm

Standard automobilistico

No

IGBT discreto, ON Semiconductor


Transistor bipolari a gate isolato (IGBT) per azionamenti e altre applicazioni di commutazione con correnti elevate.

IGBT discreto, ON Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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